晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸块的成型方法
基本信息
| 申请号 | CN202110735094.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471061A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471061A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许冠猛 | 申请（专利权）人 | 合肥颀中科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 胡彭年 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区凤里街166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸块的成型方法，所述制备方法包括如下步骤：提供晶圆；在晶圆的上表面形成对位标记，其中，对位标记为厚度不低于0.3μm的金属块；在形成对位标记后的晶圆的上表面形成一介电层。与现有技术相比，本申请优化了晶圆介电层的制备工艺，在晶圆表面成型出介电层之前，预先在晶圆表面制备出对位标记。由于对位标记的厚度达0.3μm以上，具有较好的突出可见性，其在晶圆的后续工艺中能够很好的被识别并被用于定位，有利于后续工艺的展开；有效避免了在介电层制备阶段，因对位标记不可见而需返工的问题，保障了制程工艺的连续性，提高了生产效率，也节省了返工的人力物力成本。 |
