等离子刻蚀设备反应腔的清洁方法及晶圆刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN202111186794.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113936989A | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN113936989A | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | H01J37/32（2006.01）I;H01L21/3065（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张贤亮;刘金军 | 申请（专利权）人 | 合肥颀中科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 段友强 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区凤里街166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了等离子刻蚀设备反应腔的清洁方法及晶圆刻蚀方法，其中，等离子刻蚀设备反应腔的清洁方法包括如下步骤：在反应腔内的晶圆承载台上放置铝板；采用等离子体射频技术将充填在反应腔内的惰性气体电离成等离子体；等离子体对所述铝板产生轰击以形成铝原子；铝原子在反应腔的内壁上附着并形成铝膜。本发明通过在反应腔内电离惰性气体形成对铝板轰击的等离子体以在铝板上电离出铝原子，在铝原子电离后附着沉积在反应腔内壁上形成铝膜对反应副产物的遮盖，避免了反应副产物对晶圆刻蚀的影响，由此延长了PM周期，提高了设备利用率及产能，降低了生产成本。 |
