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一种背入式雪崩光电探测器芯片

基本信息

申请号 CN201821252820.X 申请日 -
公开（公告）号 CN208596682U 公开（公告）日 2019-03-12
申请公布号 CN208596682U 申请公布日 2019-03-12
分类号 H01L31/0224（2006.01）I; H01L31/107（2006.01）I; H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杨彦伟; 刘宏亮; 邹颜; 刘格 申请（专利权）人 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
代理机构 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 代理人 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
地址 518071 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种背入式APD芯片，本实用新型技术方案在APD芯片的背面设置通光窗口，APD芯片为背入式芯片，可以通过位于背面的通光窗口检测光信号。相对于传统的正面检测光信号的方式，本实用新型技术方案中位于背面的第二电极可以仅预留通光窗口，完全覆盖其他背面区域，而第二电极不透光，可以完全防止背面通光窗口之外的其他区域的杂光入射，从而可以避免环境噪声的影响，保证APD芯片可以正确识别单光子信号光。