一种背入式雪崩光电探测器芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810873558.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110611000A | 公开（公告）日 | 2019-12-24 |
| 申请公布号 | CN110611000A | 申请公布日 | 2019-12-24 |
| 分类号 | H01L31/0224;H01L31/107;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨彦伟;刘宏亮;邹颜;刘格 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 | 代理人 | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
| 地址 | 518071 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种背入式APD芯片及其制作方法，本发明技术方案在APD芯片的背面设置通光窗口，APD芯片为背入式芯片，可以通过位于背面的通光窗口检测光信号。相对于传统的正面检测光信号的方式，本发明技术方案中位于背面的第二电极可以仅预留通光窗口，完全覆盖其他背面区域，而第二电极不透光，可以完全防止背面通光窗口之外的其他区域的杂光入射，从而可以避免环境噪声的影响，保证APD芯片可以正确识别单光子信号光。 |
