Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810873563.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110611011A | 公开（公告）日 | 2019-12-24 |
| 申请公布号 | CN110611011A | 申请公布日 | 2019-12-24 |
| 分类号 | H01L31/107;H01L31/0352 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨彦伟;刘宏亮;邹颜;刘格 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 | 代理人 | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
| 地址 | 518071 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种Be离子扩散保护环APD芯片及其制作方法，所述外延功能层中，所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；所述中心区域内设置有扩散区，所述扩散保护环区域设置有Be离子注入扩散保护环。通过所述Be离子注入扩散保护环对扩散区的边缘电场进行弱化，通过离子注入工艺形成Be离子注入扩散保护环，一方面可以有效避免扩散区的边缘提前击穿问题，另外，Be元素的离子注入与Zn元素的扩散工艺完全不同，离子注入主要采用高能离子注入方式，一旦注入完成，其掺杂元素的注入深度不会在后续高温扩散工艺下发生变化，离子注入工艺与扩散工艺可以完全独立控制，互不影响，可以提高制作工艺的稳定性和重复性，提高产品良率。 |
