背照式高速光电二极管接收芯片
基本信息
| 申请号 | CN201720045224.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206657816U | 公开（公告）日 | 2017-11-21 |
| 申请公布号 | CN206657816U | 申请公布日 | 2017-11-21 |
| 分类号 | H01L31/102(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨彦伟;陆一峰;刘格;刘胜宇;刘宏亮 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
| 地址 | 518071 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出了一种背照式高速光电二极管接收芯片，包括：外延层，包括P型台面、N型台面、磷化铟衬底；P型台面包括铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；N型台面包括磷化铟缓冲层；其中，磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓冲层，铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；集成微透镜，设置于磷化铟衬底的一侧，且集成微透镜与磷化铟缓冲层在磷化铟衬底的不同侧。本实用新型能够在确保芯片扩散源区面积保持不变的情况下，扩展芯片的光吸收面积，解决芯片扩散源区面积小所导致的耦合效率低的问题，以及加入反射镜面层能够使芯片的量子效率得到改善。 |
