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一种光刻方法

基本信息

申请号	CN202011622052.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112666800A	公开（公告）日	2021-04-16
申请公布号	CN112666800A	申请公布日	2021-04-16
分类号	G03F7/20	分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
发明人	张续朋;杨彦伟;邹颜	申请（专利权）人	深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
代理机构	深圳智汇远见知识产权代理有限公司	代理人	艾青;牛悦涵
地址	518071 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种光刻方法，属于芯片加工技术领域。本发明的光刻方法包括晶片，晶片包括第一台面与第二台面，第一台面的高度大于第二台面的高度，所述方法包括：在晶片表面均匀涂覆光刻胶，形成光刻胶膜层；在光刻胶膜层的上方设置第一掩膜版，在第一掩膜版的上方向晶片表面进行第一曝光，第一曝光在第一预设曝光量下进行；去除第一掩膜版；在光刻胶膜层的上方设置第二掩膜版，在第二掩膜版的上方向晶片表面进行第二曝光，第二曝光在第二预设曝光量下进行；其中，第一掩膜版上设置有与第一台面对应的图形，第二掩膜版上设置有与第二台面对应的图形。本发明的光刻方法可以有效解决高低台式芯片光刻工艺中的曝光不均匀的问题，提高光刻曝光的质量。