一种磁控溅射镀膜装置、纳米多层膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210151152.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102677009B | 公开（公告）日 | 2014-05-28 |
| 申请公布号 | CN102677009B | 申请公布日 | 2014-05-28 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 金攻;涂江平;李玲玲;王刚;王美娜 | 申请（专利权）人 | 中奥汇成（苏州）科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人 | 马佑平 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区西环南路18号B座431室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，至少包括真空镀膜室、溅射靶、真空镀膜室底座上的转架台和转架台上的工件架，以及驱动转架台绕转架台的中心轴转动的第一转动系统；所述溅射靶设置在转架台周围并与转架台垂直，所述溅射靶包括两个第一溅射靶及一个第二溅射靶，所述溅射靶位于与转架台同心的圆周上，两个所述第一溅射靶之间的圆弧为180-240度，所述第二溅射靶等分两个第一溅射靶之间的圆弧；所述转架台上固定设置有穿过转架台表面的隔板，在垂直于转架台方向上，所述隔板的两端均超出所述溅射靶的两端。该装置结构简单，对工艺的控制简单，解决了纳米多层膜的制备，适宜于工业化。 |
