一种HTCVD法碳化硅晶体生长控制系统及方法
基本信息
| 申请号 | CN202111059835.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113502542A | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN113502542A | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人 | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京源点知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗超;黄启兵 |
| 地址 | 225000江苏省南京市江北新区中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2189室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了碳化硅晶体生长技术领域内的一种HTCVD法碳化硅晶体生长控制方法及系统。该控制方法在碳化硅晶体生长过程中，通过维持生长炉内每个阶段的温度，并调节反应气体的进气量来实现对碳化硅晶体生长速率的控制；同时，通过实时获取晶体图像来计算出晶体直径，实现对晶体扩径生长阶段的晶体直径的实时监控，并结合调整提拉旋转杆的提升和旋转参数，使得晶体在预计时间内达到目标直径。该控制方法可以实时监控晶体生长情况，并通过设定程序自动反馈调节，使得晶体各阶段生长更符合预期情况，提高了晶体生产的产品良率。 |
