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一种碳化硅晶体生长装置

基本信息

申请号 CN202020309250.4 申请日 -
公开（公告）号 CN211771662U 公开（公告）日 2020-10-27
申请公布号 CN211771662U 申请公布日 2020-10-27
分类号 C30B35/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘欣宇;袁振洲 申请（专利权）人 江苏超芯星半导体有限公司
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人 江苏超芯星半导体有限公司
地址 225000江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置。该种碳化硅晶体生长装置包括：底板；外套筒，外套筒设置于底板上端；内套筒，内套筒设置于底板上端，内套筒还设置于外套筒内部；上盖，上盖设置于外套筒与内套筒上端，上盖与底板配合使得外套筒与内套筒之间形成密封的腔室一、使得内套筒的内部形成密封的腔室二；电感线圈，电感线圈环绕内套筒并设置于腔室一中，抽真空装置，抽真空装置与腔室一及腔室二连通。通过内套筒与外套筒形成双层密封结构，提高了腔室二中环境的稳定性，更有利于晶体的生长，并且通过抽真空装置能够进一步将腔室二泄漏致腔室一中的气体排出，减少了气体对环境的影响。