一种无籽晶碳化硅晶体生长的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010388304.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111501101A | 公开（公告）日 | 2020-08-07 |
| 申请公布号 | CN111501101A | 申请公布日 | 2020-08-07 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B23/00 | 分类 | - |
| 发明人 | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人 | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 地址 | 225000 江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种无籽晶碳化硅晶体生长的方法，其特征在于，所述方法包括：在石墨片上加工出孔洞，将碳化硅颗粒置于所述石墨片上，然后固定在装有碳化硅粉料的石墨坩埚顶部；将所述石墨坩埚置于单晶炉中进行晶体生长程序；第一阶段为高压低温，促使所述碳化硅颗粒沿所述孔洞方向轴向生长；第二阶段为低压高温，促使所述碳化硅沿垂直于所述石墨孔洞方向径向生长，最终形成碳化硅晶体。本发明成功解决了生产过程中(1)需要籽晶、成本高、晶体尺寸受限；(2)籽晶粘接技术和工艺复杂、影响晶体质量的问题。去除了常规工艺中工艺最复杂的粘接工艺，以及籽晶，大大降低了成本，提高了生产效率，得到大尺寸碳化硅晶体。 |
