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一种用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置及检测方法

基本信息

申请号 CN202010447076.4 申请日 -
公开（公告）号 CN111458349A 公开（公告）日 2020-07-28
申请公布号 CN111458349A 申请公布日 2020-07-28
分类号 G01N21/95(2006.01)I 分类 -
发明人 袁振洲;刘欣宇 申请（专利权）人 江苏超芯星半导体有限公司
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人 江苏超芯星半导体有限公司
地址 225000江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于材料检测技术领域，提供了一种用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置，包括：工作面，其上设有工作台，用于放置待检测的晶体；外罩，呈倒置的U型，其扣盖在所述工作面上并与其形成密闭的空腔；光源，设置于所述密闭的空腔内，用于直射在所述晶体上；图像采集器，设置于所述外罩外部顶端且位于所述晶体的上方；和图像处理设备，设置于所述密闭的空腔外且与所述图像采集器相连接。本申请相比于常用的高分辨透射电镜法、光吸收法和Raman光谱法三种鉴别晶体多型的方法，具有对样品无损检测的优点，也不需要特殊处理，快速判断，且检测装置成本大大降低，在一定的精度要求下，能达到最佳性价比。