一种晶体与晶体托的分离方法
基本信息
| 申请号 | CN202010574084.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111690986B | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN111690986B | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | C30B33/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人 | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王佳妹 |
| 地址 | 225000江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种晶体与晶体托的分离方法，其特征在于，将需要分离的晶体及与其固定的晶体托放入高温氧化炉中，向所述高温氧化炉中通入含氧气体，进行碳氧化反应，即可将晶体与晶体托分离。本申请提供的晶体与晶体托的分离方法，利用高温将固态石墨氧化为气态的二氧化碳，从而成功分离生长后的晶体和石墨。本申请的晶体与晶体托的分离方法简单易行，成本低。采用非机械方法分离晶体与晶体托，减少了传统方法所带来的风险。本申请的分离方法对晶体自身无损，简单有效。 |
