低温、电阻突变率低的PTC过流保护片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610580899.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106188757A | 公开（公告）日 | 2016-12-07 |
| 申请公布号 | CN106188757A | 申请公布日 | 2016-12-07 |
| 分类号 | C08L23/06(2006.01)I;C08L23/08(2006.01)I;C08K13/02(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;C08K5/57(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I;H01C7/13(2006.01)I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 茅震;王金东 | 申请（专利权）人 | 江阴市东润电子有限公司 |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙燕波 |
| 地址 | 214443 江苏省无锡市江阴市申港街道申西村新村路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种低温、电阻突变率低的PTC过流保护片，由如下质量份的原料制备而成：高密度聚乙烯?25?30份，低密度聚乙烯?18?20份，EVA?5?8份，导电炭黑?20?46份，氧化锑?2?6份，二丁基氧化锡?4?6份，氧化亚锡、银氧化锡、三氧化二锡一种以上?2?4份，铝锆偶联剂?5?8份，改质剂?0.5?4份，抗氧化剂?2?6份；聚乙烯与导电炭黑的质量比为1～1.5。PTC过流保护片膨胀断开的临界温度达到了80～90℃，且温度区间窄，热敏感性高。正常状态下过流保护片的阻值为20～40毫欧姆，阻值突变率低。 |
