用于光收发器件抗干扰的半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201621040519.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205984995U | 公开（公告）日 | 2017-02-22 |
| 申请公布号 | CN205984995U | 申请公布日 | 2017-02-22 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H04B10/40(2013.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 白昀 | 申请（专利权）人 | 飞昂通讯科技南通有限公司 |
| 代理机构 | 北京律恒立业知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 飞昂通讯科技南通有限公司;飞昂创新科技南通有限公司 |
| 地址 | 226000 江苏省南通市长圆路1号益兴大厦1501-1504室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件，所述半导体器件包括：自下而上设置的背侧金属化层、p++承载晶圆层、P型外延层、隔离层以及金属层；背侧金属化层作为衬底，其上形成p++承载晶圆层，p++承载晶圆层上形成P型外延层，在P型外延层和隔离层上形成深硅通孔和N型重掺杂槽、P型重掺杂槽，金属层形成于隔离层之上；所述半导体器件包括至少两条N型重掺杂槽、两条P型重掺杂槽和数个深硅通孔，其中数个深硅通孔分成至少两排分布，N型重掺杂槽和P型重掺杂槽相间排列在深硅通孔的两侧。 |
