一种半导体用复合层生长槽

基本信息

申请号 CN202021382047.6 申请日 -
公开(公告)号 CN212669791U 公开(公告)日 2021-03-09
申请公布号 CN212669791U 申请公布日 2021-03-09
分类号 C23C16/44(2006.01)I;H01L21/365(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 卢荣贵 申请(专利权)人 东莞市伟腾半导体科技有限公司
代理机构 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 代理人 刘汉民
地址 523000广东省东莞市东城街道东泰社区阳光澳园南街B35商铺
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种半导体用复合层生长槽,包括主体机构和支撑机构,主体机构的下端设置有支撑机构,筒体的内部设置有活动槽,活动槽的内部设置有盛放槽,盛放槽通过活动槽与筒体活动连接,采用抽屉式拿取法,使得在对原材料的拿取上变得更加简单方便,减少原材料与工作人员的肢体相接触的机会,也就间接减少了原材料受外界环境污染的概率,确保原材料的质量不受影响,且筒体的内壁上固定安装有保护壁,保护壁为一种玻璃纤维材料制成的构件,且厚度为3mm‑5mm,其具有良好的隔热性能,使得外界的热量难以传递进来,提高生长质量。