一种SplitGate结构、PowerMOS器件及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010193258.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113497122A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113497122A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑远程;石新欢 | 申请（专利权）人 | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张涛 |
| 地址 | 215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种Split Gate结构，包含由沟槽底部向上垂直分布于沟槽内的第一多晶硅、特征氧化物和第二多晶硅，特征氧化物上表面中部高处与两侧低处的高度差小于该Split Gate结构有效改善了breakdown和IGSS性能。本发明同时提供一种具有该Split Gate结构的Power MOS器件以及该Split Gate结构的制作方法。 |
