一种改善电容耐压性的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911240661.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112928207A | 公开（公告）日 | 2021-06-08 |
| 申请公布号 | CN112928207A | 申请公布日 | 2021-06-08 |
| 分类号 | H01L49/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 仝刚;王向春;刘波;於想 | 申请（专利权）人 | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨帆 |
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种改善电容耐压性的方法，所述方法包括四个步骤：步骤一：将电容方形上极板的边角从直角修正为圆弧角；步骤二：通过金属蚀刻和介电质蚀刻两步对所述上极板进行蚀刻；步骤三：在所述上极板上沉积氧化物间隔层；步骤四，对介电质层进行整体蚀刻。通过该方法，使得金属介电质金属电容的耐压性得到了有效提升。 |
