一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010193262.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113496949A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113496949A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/8234（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周黎林;李虎子 | 申请（专利权）人 | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘小峰 |
| 地址 | 215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法，其提供第一器件区域和第二器件区域；对第一器件区域和第二器件区域进行侧墙蚀刻；侧墙蚀刻后在第一器件区域的表面形成金属硅化层且在第二器件区域的表面不形成金属硅化层。本发明的方法取消了SAB制程，防止了SAB制程过程中由于蚀刻速率不同而造成的凹槽，凹槽不存在所以后期金属层形成时不会有金属残留到凹槽中，进而克服了器件漏电的问题。 |
