一种改善栅极氧化层均匀度的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010216931.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113451119A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113451119A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韩长安;朱东亮;宋康 | 申请（专利权）人 | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨帆 |
| 地址 | 215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种改善栅极氧化层均匀度的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供已制成浅沟槽隔离结构的半导体基底；（2）通过热氧化的方式在所述半导体基底上生长第一热氧化层；（3）通过高温氧化的方式在所述第一热氧化层上沉积第二沉积氧化层，从而形成目标栅极氧化层；（4）对所述目标栅极氧化层进行退火处理以得到最终栅极氧化层。本发明提供的改善栅极氧化层均匀度方法能够避免MOS器件从浅沟槽隔离结构拐角处击穿，而且能够打破栅极氧化层厚度限制，这在很大程度上可以有效地改善器件性能及可靠性。 |
