一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910836752.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110484896A | 公开（公告）日 | 2019-11-22 |
| 申请公布号 | CN110484896A | 申请公布日 | 2019-11-22 |
| 分类号 | C23C16/455;C23C16/52;H01S5/183 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 龚平;吴旗召;夏天文 | 申请（专利权）人 | 西安唐晶量子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710119 陕西省西安市高新区上林苑一路15号B栋一层B-104室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情况下，当MOCVD生长的VCSEL外圈膜厚大于内圈膜厚时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的进气孔043载气流量，使得内圈的Ⅲ族源浓度提高，从而提高内圈生长速率。当内圈膜厚大于外圈膜厚时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的进气孔043的载气流量，使得外圈的Ⅲ族源浓度提高，从而提高外圈生长速率，通过本发明提供方法，可以解决外延片内外圈膜厚不均匀问题，提升外延片良率。 |
