一种具有电流阻挡层的氮化镓基垂直结构发光二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010201845.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111261762A | 公开（公告）日 | 2020-06-09 |
| 申请公布号 | CN111261762A | 申请公布日 | 2020-06-09 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚平;吴旗召 | 申请（专利权）人 | 西安唐晶量子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710119陕西省西安市高新区上林苑一路15号B栋一层B-104室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有电流阻挡层的氮化镓基垂直结构发光二极管，包括：位于底层的导电衬底；位于导电衬底表面第二焊接层；位于第二焊接层表面的第一焊接层；位于第一焊接层表面的扩散阻挡层；位于扩散阻挡层表面的镍银反射层；位于扩散阻挡层表面的Al层；位于镍银反射层和Al层表面的氮化镓基发光外延层；位于发光外延层表面的n电极，Al金属层位于n电极下方的投影区，Al金属层作为电流阻挡层改变电流注入，提高发光效率。 |
