一种双面钝化结构的太阳能电池制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110836421.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113594295A | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN113594295A | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/068（2012.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳黑晶光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 广东广盈专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 李俊 |
| 地址 | 518101广东省深圳市宝安区新安街道大浪社区裕安二路362号大家好广场厂房B栋502 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双面钝化结构的太阳能电池制备方法，其特征在于包括如下步骤：S100、选用硅片作为电池的硅基片，且对该硅基片的正面和背面进行制绒或抛光处理；S200、在硅基片的正面和背面制成第一氧化硅钝化层，且在该第一氧化硅钝化层上形成多晶硅层；S300、在多晶硅层上进行N型原位掺杂处理生成N型掺杂多晶硅钝化层；S400、在N型掺杂多晶硅钝化层上形成氧化保护层。本发明给了一种用于制作太阳能电池形成结构的制备方法，该方法能良好地在硅基片上形成各层状结构，正反面隧穿钝化接触的复合多晶硅钝化层，制备出的硅底电池开路电压高，尤其适用于多结叠层太阳电池制备，光电转换效率更高。 |
