一种高倍率硅碳负极微球的制备方法及高倍率硅碳负极微球
基本信息
| 申请号 | CN202110271177.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113036109A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113036109A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡志鹏;黄向东;裴锋 | 申请（专利权）人 | 广州巨湾技研有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苗苗 |
| 地址 | 510000 广东省广州市南沙区横沥镇明珠一街1号310房—J016（仅限办公） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高倍率硅碳负极微球的制备方法及高倍率硅碳负极微球，微球由纳米硅颗粒、内部碳导电网络、外部致密碳层构成，纳米硅颗粒负载于内部碳导电网络上，纳米硅颗粒和导电网络的表面都被一层致密的碳层所包覆，微球上还存在模板刻蚀后处存在的孔洞。制备方法包括以纳米硅、碳材料、模板剂、和粘结剂为原料混合，喷雾造粒，热处理，冷却，除去模板，CVD包碳等步骤。该结构中，内部碳导电网络提供了优良的导电网络，同时也可作为硅体积变化的缓冲基体，表面包覆的致密碳层可以进一步稳定材料结构和提高导电性，模板刻蚀留下的孔洞有利于电解液的浸润和锂离子在微球内部的传导，从而改善了材料的充放电倍率性能。 |
