具有高静电防护能力的二极管及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910509233.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112086501A | 公开（公告）日 | 2020-12-15 |
| 申请公布号 | CN112086501A | 申请公布日 | 2020-12-15 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王黎 | 申请（专利权）人 | 彩优微电子（昆山）有限公司 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 彩优微电子（昆山）有限公司 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区达尔文路88号11号2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有高静电防护能力的二极管及其形成方法，具有高静电防护能力的二极管包含：具有第一导电类型的硅基底层、形成于硅基底层中的多个第一沟槽与多个第二沟槽、多个浅沟槽隔离结构与具有第二导电类型的多晶硅层。浅沟槽隔离结构分别设置于第一沟槽中以填满第一沟槽。多晶硅层共形地形成于第二沟槽的表面上。本揭露透过使用沟槽结构，并在沟槽结构上形成多晶硅层来做为二极管的电极，以提高二极管自身的电流耐受能力。 |
