一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202111118759.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114038733A | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN114038733A | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;C23C16/32（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温正欣;和巍巍;汪之涵;郑泽东;喻双柏 | 申请（专利权）人 | 基本半导体（南京）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 210000江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢-424 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法，选择商业化的硅衬底并清洗；在硅衬底正面涂覆光刻胶，经光刻、显影、坚膜后刻蚀以形成刻蚀道；沉积SiO2填充刻蚀道，并使晶片表面平坦化；使用H2气体高温刻蚀硅衬底结构表面，去除晶片表面损伤层；在外延炉中通入H2气体为载气，并通入碳源气体，对衬底表面进行碳化；在外延炉中通入H2气体为载气，通入硅源气体、碳源气体及掺杂气体，并在高温下反应生成3C碳化硅。本发明相比于传统的4H碳化硅同质外延，在外延生长前预先在硅衬底上形成应力释放结构，降低了外延生长过程中由于晶格失配及热膨胀失配带来的缺陷、孔洞和碎片等问题。 |
