半导体封装结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011459879.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582366A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112582366A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 霍炎;涂旭峰 | 申请（专利权）人 | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 北京博思佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武娜 |
| 地址 | 401331重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体封装结构及其制备方法。本申请中，该半导体封装结构，包括待封装裸片、第一绝缘层、布线层、限位结构与锡球，待封装裸片包括相对的正面与背面；待封装裸片的正面设置有焊垫；第一绝缘层位于待封装裸片的正面，第一绝缘层包括第一开口以暴露焊垫；布线层位于第一绝缘层远离待封装裸片的一侧，布线层通过第一开口与焊垫电连接；限位结构位于布线层远离待封装裸片的一侧，限位结构包括容纳空间；锡球位于限位结构的容纳空间中，并与布线层电连接。本申请实施例提供的技术方案，可以防止植球时锡球的位置偏移，提高半导体封装结构的电学性能。 |
