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一种多晶硅还原生产工艺

基本信息

申请号 CN201110084412.4 申请日 -
公开（公告）号 CN102107873B 公开（公告）日 2012-07-11
申请公布号 CN102107873B 申请公布日 2012-07-11
分类号 C01B33/035(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 刘岗;周大荣;孙建荣;蒋敏;孙兵;胡成发 申请（专利权）人 连云港中彩科技有限公司
代理机构 南京众联专利代理有限公司 代理人 连云港中彩科技有限公司
地址 222000 江苏省连云港市连云区连云经济开发区板桥工业园
法律状态 -

摘要

摘要 一种多晶硅还原生产工艺，在反应初期，通过提高温度增加沉积速率使硅棒快速长大，由于炉内总流速小，即使是采用较低的氢气含量，副反应发生率也相对较低；反应中期，随着硅棒的不断长大，通过降低温度、提高氢气的含量抑制热解反应以及副反应等发生，并通过增加总流速提高反应速率；反应后期，进一步提高氢气含量和流速，保持温度，抑制因活性面积增大带来的激烈副反应。通过优化还原内的反应条件，不仅有利于促进三氯氢硅的有效转化，也有利于硅棒的较好生长；同时，对抑制反应热解进行，使主还原反应更好地进行效果明显；减少副产物，降低了多晶硅综合成本。