一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法
基本信息
| 申请号 | CN201110084413.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102199773A | 公开（公告）日 | 2011-09-28 |
| 申请公布号 | CN102199773A | 申请公布日 | 2011-09-28 |
| 分类号 | C23F1/40(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘岗;周大荣;孙建荣;蒋敏;孙兵;胡成发 | 申请（专利权）人 | 连云港中彩科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人 | 连云港中彩科技有限公司 |
| 地址 | 222000 江苏省连云港市连云区连云经济开发区板桥工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法，按照质量百分含量配比如下：氢氧化钠20~40%、氟化钠4~6%和次氯酸钠0.3~0.7%，水50~70%制作腐蚀液，控制腐蚀温度为50~70℃，硅芯在液体中浸泡时间为3~5分钟，然后用纯水漂洗5~7遍，再用纯水煮沸3~5分钟，放入烘箱80~100℃烘干即可，采用了一种新的对多晶硅硅芯进行腐蚀处理，所得硅芯的比较面积达到40~80m－1，大大高于混酸腐蚀的比表面积，本发明取代传统使用的氢氟酸和硝酸混酸腐蚀液，提供了一个安全无污染、高效低成本的硅芯腐蚀新工艺；具有环境污染小、腐蚀成本低、人身无伤害及腐蚀效果好的特点。 |
