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一种多结太阳电池隐性缺陷无损测试方法及系统

基本信息

申请号 CN201910359894.6 申请日 -
公开（公告）号 CN110324003A 公开（公告）日 2019-10-11
申请公布号 CN110324003A 申请公布日 2019-10-11
分类号 H02S50/15 分类 发电、变电或配电;
发明人 彭云峰;丁叶飞;黄川 申请（专利权）人 上海道口智能科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 200092 上海市杨浦区铁岭路32号608-5室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种多结太阳电池隐性红外缺陷无损测试方法，针对被测多结太阳电池中各子电池的材料类型，选择对应的激光光源；激光光源发出的激光均照射在被测多结太阳电池上，被测多结太阳电池在激光照射下，各子电池分别激发出对应一定波长的光信号，这些光信号均在分别滤光后由红外传感器接收，并分别转换为电信号；控制系统接收所述的电信号，通过各激光光源的频率作为锁相信号放大的输入参数，提取各子电池的红外缺陷分布图。本发明利用不同子电池在不同激光下激发的光信号不同的特点，快速、非接触地测试出多结太阳电池中，每个子电池上分布的隐性缺陷。