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一种半导体材料及器件内部缺陷无损测试方法及系统

基本信息

申请号 CN201910359900.8 申请日 -
公开（公告）号 CN110243839A 公开（公告）日 2019-09-17
申请公布号 CN110243839A 申请公布日 2019-09-17
分类号 G01N21/95（2006.01）I; G01N21/01（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 彭云峰; 丁叶飞; 黄川 申请（专利权）人 上海道口智能科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 200092 上海市杨浦区铁岭路32号608-5室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种半导体材料及器件内部缺陷无损测试方法及系统，针对被测样品的材料类型，选择合适的可调制激光光源；被测样品在激光照射下激发出特定波长的光致荧光信号，在滤光后由红外传感器接收，并转换为数字信号；控制与信号系统接收通过激光光源的频率作为数字锁相放大模块的输入参数，提取被测样品的内部缺陷分布图。通过本发明方法及系统，适用于现有大多数半导体材料及器件，产品类型涵盖半导体固体材料、半导体器件半成品和成品，非接触，对样品无损伤；整个过程无需暗室，可直接在半导体器件工作现场快速感知；采用数字锁相算法代替传统的锁相模拟电路，能够轻松与工业物联网智能终端、大数据平台等有机结合，可扩展能力强。