直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法
基本信息
| 申请号 | CN201010166018.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102234836B | 公开（公告）日 | 2014-04-09 |
| 申请公布号 | CN102234836B | 申请公布日 | 2014-04-09 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 周俭 | 申请（专利权）人 | 上海晶美电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京元中知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 上海晶美电子技术有限公司 |
| 地址 | 200062 上海市普陀区丹巴路28弄36号旭辉世纪广场6号楼416室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。在单晶硅拉制过程中，将惰性气体从副室(1)流向罩体(5)，再沿着罩体(5)从其下端流出，最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。 |
