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一种转化四氯化硅制取三氯氢硅和多晶硅的方法

基本信息

申请号 CN200810045015.4 申请日 -
公开（公告）号 CN101254921A 公开（公告）日 2008-09-03
申请公布号 CN101254921A 申请公布日 2008-09-03
分类号 C01B33/107(2006.01) 分类 无机化学;
发明人 印永祥;任永平 申请（专利权）人 四川金谷多晶硅有限公司
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 代理人 刘世权
地址 610031四川省成都市青羊区青龙街27号钱江铂金时代3号楼12层802室
法律状态 -

摘要

摘要 针对目前工业生产多晶硅过程中产生污染环境的SiCl4，用热氢化法将其转化为生产多晶硅原料SiHCl3，存在一次转化率低、能耗高、设备投资大，及用SiCl4生产白炭黑经济效益远低于多晶硅的问题，本发明为企业提供一种转化四氯化硅制取SiHCl3和多晶硅方法，是以氢气或氢气与氩气混合气为等离子体工作气体，送入等离子体发生器，在强电场作用下通过电弧放电形成温度为4000K以上的热等离子体射流，诱导反应器中的SiCl4发生还原反应，将SiCl4转化为SiHCl3和多晶硅；突出优点是工艺成熟、能耗低，设备投资小，主产SiHCl3、联产多晶硅、副产HCl，有效消除四氯化硅环境污染，提高经济效益。