一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201310538444.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103545377B | 公开（公告）日 | 2015-12-30 |
| 申请公布号 | CN103545377B | 申请公布日 | 2015-12-30 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/221(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/36(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘萍 | 申请（专利权）人 | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 地址 | 518057 广东省深圳市高新技术产业园北区郎山一路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该晶体管包括源极、漏极和IGZO薄膜层，还包括铪钕合金薄膜层，所述IGZO薄膜层的第一表面与所述源极和漏极接触，所述IGZO薄膜层的与第一表面相背的另一表面与所述铪钕合金薄膜层接触。本氧化物薄膜晶体管具有稳定的电学性能。 |
