ZnSe纳米晶的制备方法、ZnSe纳米晶及ZnSe缓冲层的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

ZnSe纳米晶的制备方法、ZnSe纳米晶及ZnSe缓冲层的制备方法

基本信息

申请号	CN201410766659.8	申请日	-
公开（公告）号	CN104495762B	公开（公告）日	2018-01-19
申请公布号	CN104495762B	申请公布日	2018-01-19
分类号	C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/032;H01L31/18	分类	无机化学;
发明人	刘萍	申请（专利权）人	深圳丹邦投资集团有限公司
代理机构	深圳新创友知识产权代理有限公司	代理人	深圳丹邦投资集团有限公司
地址	518057 广东省深圳市高新技术产业园北区郎山一路8号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种ZnSe纳米晶的制备方法，包括如下步骤：S1、制备硒前驱体溶液：将油胺、硒单质和还原剂配成反应溶液，加热反应制得硒前驱体溶液；在所述反应溶液中，硒前驱体溶液的浓度为0.25‑1.5mol/L，所述还原剂与硒单质的摩尔比≥1:1，所述还原剂为二甲基胺硼烷或硼氢化钠；S2、配制锌前驱体溶液：将锌源分散在反应溶剂中配得所述锌前驱体溶液，所述锌源和所述硒单质的摩尔比为1:1～1:1.5，所述反应溶剂为油胺或者为十八烯与硬脂肪酸的混合溶剂；S3、制备ZnSe纳米晶：在无水无氧体系下，将步骤S2中的所述锌前驱体溶液加热到150‑350℃，再将步骤S1中所述的硒前驱体溶液注射到所述锌前驱体溶液中，反应时间至少10min，得到所述ZnSe纳米晶。本发明可制得质量较好的ZnSe纳米晶。