一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201410692724.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104538488B | 公开（公告）日 | 2017-05-24 |
| 申请公布号 | CN104538488B | 申请公布日 | 2017-05-24 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘萍 | 申请（专利权）人 | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 地址 | 518057 广东省深圳市高新技术产业园北区郎山一路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法，所述方法包括S1、在钼基底上镀一层厚度为10～1000nm的铜；S2、在电解液体系中，采用电化学沉积法在经步骤S1镀铜处理的钼基底上沉积形成贫铜的铜铟镓硒薄膜。采用该方法制备太阳电池用的光吸收层材料CIGS薄膜，不仅能避免采用PVD法或CVD法存在的工艺和设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足，也能有效克服传统电化学沉积法必须使用剧毒的刻蚀剂的问题，实现铜铟镓硒薄膜大面积连续沉积、免刻蚀制备，有利于其大规模工业推广与应用，得到与传统电化学沉积KCN刻蚀富铜薄膜质量相当的免刻蚀贫铜CIGS薄膜。 |
