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一种物理气相沉积用磁控溅射装置

基本信息

申请号	CN202111499885.0	申请日	-
公开（公告）号	CN114086144A	公开（公告）日	2022-02-25
申请公布号	CN114086144A	申请公布日	2022-02-25
分类号	C23C14/35（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	罗正勇;金補哲	申请（专利权）人	盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
代理机构	上海市汇业律师事务所	代理人	王函
地址	315100浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村
法律状态	-

摘要

本发明通过在磁控溅射装置底座上沿径向交错、均匀布置偶数数量的条形永磁铁，使得相邻的两个条形永磁铁两端的磁力线闭合，有利于束缚腔室内的电子，形成更多的等离子，增加溅射效率；通过设置磁铁调节机构调整条形永磁铁在径向上的位置，使得靶材上磁感应强度分布更均匀，靶材被均匀溅射，提高靶材使用率；通过在磁控溅射装置边缘设置上方为S极、下方为N极的环形永磁铁，增强装置边缘的磁感应强度，有效束缚靶材边缘的电子，使靶材边缘与中间的溅射速度相同进而提升靶材使用率，提升基片上薄膜的均匀性。靶材利用率从原来的30％，提升到约60％，降低了生产成本；基片薄膜的均匀性则从原来的约3％提升到约0.8％，提升了产品的稳定性，增加了良率。