一种5G高频MPI材料钻孔方法
基本信息
申请号 | CN202011090507.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112188740B | 公开(公告)日 | 2021-12-07 |
申请公布号 | CN112188740B | 申请公布日 | 2021-12-07 |
分类号 | H05K3/00(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
发明人 | 赵城;彭伟红;周丹;田新博 | 申请(专利权)人 | 安捷利(番禺)电子实业有限公司 |
代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 罗毅萍 |
地址 | 510000广东省广州市南沙区望江二街4号1201(A2)房 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种5G高频MPI材料钻孔方法,包括以下步骤:S1、采用激光对MPI压合工件进行圆形钻孔;S2、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;减小所述振镜扫描速度和增大有效光斑直径,继续采用激光进行圆形钻孔;S3、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;调整所述振镜扫描速度和有效光斑直径至预定值,继续采用激光进行圆形钻孔;S4、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;调整振镜扫描速度和有效光斑直径,继续采用进行圆形钻孔;S5、重复步骤S2和S4,直至钻孔完成。本发明提供了一种5G高频MPI材料钻孔方法,其能够避免钻孔时发生内缩,保证孔型良好。 |
