一种5G高频MPI材料钻孔方法

基本信息

申请号 CN202011090507.2 申请日 -
公开(公告)号 CN112188740B 公开(公告)日 2021-12-07
申请公布号 CN112188740B 申请公布日 2021-12-07
分类号 H05K3/00(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 赵城;彭伟红;周丹;田新博 申请(专利权)人 安捷利(番禺)电子实业有限公司
代理机构 广州新诺专利商标事务所有限公司 代理人 罗毅萍
地址 510000广东省广州市南沙区望江二街4号1201(A2)房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种5G高频MPI材料钻孔方法,包括以下步骤:S1、采用激光对MPI压合工件进行圆形钻孔;S2、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;减小所述振镜扫描速度和增大有效光斑直径,继续采用激光进行圆形钻孔;S3、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;调整所述振镜扫描速度和有效光斑直径至预定值,继续采用激光进行圆形钻孔;S4、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;调整振镜扫描速度和有效光斑直径,继续采用进行圆形钻孔;S5、重复步骤S2和S4,直至钻孔完成。本发明提供了一种5G高频MPI材料钻孔方法,其能够避免钻孔时发生内缩,保证孔型良好。