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一种改善RRAM随机性的阻变存储单元及其制备方法

基本信息

申请号	CN202111131696.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113948637A	公开（公告）日	2022-01-18
申请公布号	CN113948637A	申请公布日	2022-01-18
分类号	H01L45/00（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	吴祖恒;彭春雨;蔺智挺;代月花;吴秀龙	申请（专利权）人	合肥市微电子研究院有限公司
代理机构	北京凯特来知识产权代理有限公司	代理人	郑立明;李闯
地址	230601安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种改善RRAM随机性的阻变存储单元及其制备方法，该阻变存储单元包括下电极、阻变层和上电极，在下电极与阻变层之间和/或在阻变层与上电极之间设有复合增强层；所述复合增强层由电场增强层和热阻挡层组成；所述复合增强层的一部分区域为电场增强层，其余区域为热阻挡层；当在下电极与阻变层之间设有所述复合增强层时，所述电场增强层连通所述下电极和所述阻变层；当在阻变层与上电极之间设有所述复合增强层时，所述电场增强层连通所述阻变层和所述上电极。本发明解决了与阻变存储单元导电通路形成和断裂强烈相关的电场和焦耳热的随机性问题，使导电通路的形成与断裂只发生在特定的区域，有效改善了阻变存储器单元的随机性问题。