一种8T2R非易失SRAM单元电路

基本信息

申请号 CN202111064230.0 申请日 -
公开(公告)号 CN113921058A 公开(公告)日 2022-01-11
申请公布号 CN113921058A 申请公布日 2022-01-11
分类号 G11C11/417(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 蔺智挺;孙朋;吴秀龙;朱志国;彭春雨;卢文娟;赵强;陈军宁 申请(专利权)人 合肥市微电子研究院有限公司
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 郑立明;陈亮
地址 230601安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种8T2R非易失SRAM单元电路,包括两个阻变随机存取存储器RRAM构成的非易失数据存储电路,上方的阻变随机存取存储器UR和下方的阻变随机存取存储器BR;一个N型MOSFET和一个P型MOSFET构成的传输门电路,N型MOSFET记为NT,P型MOSFET记为PT;两个P型MOSFET与两个N型MOSFET构成两个反相器,并且这两个反相器的首尾相连,两个P型MOSFET分别记为左上拉晶体管LUT和右上拉晶体管RUT,两个N型MOSFET分别记为左下拉晶体管LDT和右下拉晶体管RDT,左侧访问晶体管LAT和右侧访问晶体管RAT构成6T‑SRAM的存储单元。该电路在SRAM的读、写和保持能力的基础上,增加了非易失单元RRAM,令SRAM具备掉电数据不丢失和上电数据恢复能力。