一种14T抗辐照SRAM存储单元电路
基本信息
| 申请号 | CN202111010201.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113764009A | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN113764009A | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | G11C7/12（2006.01）I;G11C8/08（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 赵强;董汉文;吕盼稂;朱志国;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 | 申请（专利权）人 | 合肥市微电子研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑立明;陈亮 |
| 地址 | 230601安徽省合肥市经济开发区九龙路111号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种14T抗辐照SRAM存储单元电路，PMOS晶体管P1和P2交叉耦合，且PMOS晶体管P1、P2作为上拉管，NMOS晶体管N3、N4和PMOS晶体管P5、P6作为下拉管；NMOS晶体管N1和PMOS晶体管P3构成一个反相器，NMOS晶体管N2和PMOS晶体管P4构成另一个反相器，且两个反相器交叉耦合；两个主存储节点Q与QN通过两个NMOS晶体管N5和N6分别与位线BL和BLB相连；两个冗余存储节点S0与S1通过两个PMOS晶体管P7与P8分别与位线BL和BLB相连。上述电路能够在牺牲较小单元面积的情况下大幅度提高单元的速度，并降低单元功耗和提高单元抗单粒子翻转的能力。 |
