集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统
基本信息
| 申请号 | CN202210010288.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114021505A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114021505A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | G06F30/31（2020.01）I;G06F30/39（2020.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 马胜军;孙玕;袁鹏飞;孙延辉 | 申请（专利权）人 | 青岛展诚科技有限公司 |
| 代理机构 | 青岛恒昇众力知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苏友娟 |
| 地址 | 266000山东省青岛市市南区山东路39号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶体管技术领域，特别提供了一种集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统，具体包括以下步骤：获取集成电路物理版图信息，版图信息只包含平面二维数据；获取FinFET的工艺参数，包括栅极沟道的具体深度参数、源漏极Fin结构的具体参数；根据得到的具体参数生成描述FinFET结构的描述文件，描述文件主要包括栅极沟道结构和源漏极Fin结构；结合三维描述语言得到完整的版图三维结构。本发明在保证结构精准的前提下更简洁，更高效的生成复杂结构，省略了复杂的层生成过程，更贴合芯片的生产过程。 |
