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方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法

基本信息

申请号 CN201711050846.6 申请日 -
公开（公告）号 CN107833926B 公开（公告）日 2020-08-07
申请公布号 CN107833926B 申请公布日 2020-08-07
分类号 H01L29/786;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 刘溪;夏正亮;靳晓诗 申请（专利权）人 蚌埠弘景科技有限公司
代理机构 沈阳智龙专利事务所（普通合伙） 代理人 宋铁军
地址 350800 福建省福州市闽清县白樟镇白洋村中心路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及高集成度方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法。在U形单晶硅所形成的凹槽内部，仅需填充绝缘介质以实现两侧垂直沟道的彼此隔离，在凹槽内部无需引入用于生成栅电极的金属材料或者多晶硅材料，凹槽内部结构相对简单，可实现传统意义上物理栅电极长度仅有1纳米的，即源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力，即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。因此适用于推广应用。