源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201711046023.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107819036A | 公开（公告）日 | 2018-03-20 |
| 申请公布号 | CN107819036A | 申请公布日 | 2018-03-20 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘溪;夏正亮;靳晓诗 | 申请（专利权）人 | 蚌埠弘景科技有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳智龙专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 宋铁军 |
| 地址 | 102200 北京市昌平区立汤路175号新华未来城大厦A座4层423 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有折叠辅助栅、双括号栅和左右两侧对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有可实现双向开关功能、低静态功耗和反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。 |
