H形栅控源漏阻变式导电类型可调型晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201711050861.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107819028B | 公开（公告）日 | 2019-11-22 |
| 申请公布号 | CN107819028B | 申请公布日 | 2019-11-22 |
| 分类号 | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 靳晓诗;高云翔;刘溪 | 申请（专利权）人 | 蚌埠弘景科技有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳智龙专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 宋铁军 |
| 地址 | 350800 福建省福州市闽清县白中镇白金路3号陶瓷科技孵化器2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种H形栅控源漏阻变式导电类型可调型晶体管及其制造方法，本发明所述晶体管具有H形栅电极、导电类型调控栅和左右对称的结构特征，本发明所述器件具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能和双向开关功能。具有低静态功耗、低反向泄漏电流、较强栅极控制能力和低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用肖特基势垒隧穿效应实现更优秀的亚阈值特性和开关特性，降低晶体管的静态功耗；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，实现了各种现有晶体管技术所无法实现的P型导电类型与N型导电类型可自由调控功能，因此适合推广应用。 |
