半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202110577656.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113206146A | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN113206146A | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L29/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李强;刘维;张海宇;杨彦刚;左义忠;姜明宝 | 申请（专利权）人 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都极刻智慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈万艺 |
| 地址 | 132000吉林省吉林市高新区深圳街99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供一种半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件，半导体器件终端结构包括：屏蔽栅沟槽，屏蔽栅沟槽内侧覆盖有第一绝缘氧化物层并设置有第一多晶硅；隔离沟槽，隔离沟槽中设置有第二绝缘氧化物层，隔离沟槽中的第一绝缘氧化物层与屏蔽栅沟槽中的第二绝缘氧化物层连通。通过在终端处相邻两个屏蔽栅沟槽之间设置填充有绝缘氧化材料的隔离沟槽，隔离沟槽将屏蔽栅沟槽界定出的外延层区隔离开，可以使靠近隔离沟槽的有源区内的外延层区和有源区深处的外延层区具有基本相同的电场分布，从而有效提高终端结构的最高耐压，并降低了芯片制造的工艺难度，可以提升芯片制造的效率。 |
