具有负反馈电容的IGBT器件及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201811521396.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109671626B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN109671626B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 左义忠;杨寿国;王修忠;高宏伟;邢文超 | 申请（专利权）人 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王术兰 |
| 地址 | 132013吉林省吉林市高新区深圳街99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种具有负反馈电容的IGBT器件及制作方法，涉及半导体器件技术领域，包括N型单晶硅、多晶硅电极、P+层、金属层、沟槽形电容的绝缘氧化层、CS电荷存储层以及半导体的P阱区；多晶硅电极通过沟槽形电容的绝缘氧化层与CS电荷存储层以及N型单晶硅形成沟槽形负反馈电容；多晶硅电极以及P+层通过金属层与半导体的P阱区进行欧姆接触；负反馈电容进行充放电时，充放电电流通过半导体的P阱区形成压降，该方式通过在IGBT原胞中设置沟槽形负反馈电容降低了米勒电容的产生的偏压，提高了IGBT器件的开关性能。 |
