可控硅结构
基本信息
| 申请号 | CN202120561027.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214254427U | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN214254427U | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L29/74（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙传帮;邵长海;左建伟;杨志伟 | 申请（专利权）人 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都极刻智慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 唐维虎 |
| 地址 | 132000吉林省吉林市高新区深圳街99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供的可控硅结构，涉及功率半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括半导体结构、阳极结构、门极结构和阴极结构。半导体结构包括第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层。阳极结构与第一半导体材料层电连接，门极结构与第三半导体材料层电连接，阴极结构与第四半导体材料层电连接。阳极结构、门极结构和阴极结构至少分布于半导体结构相对的两侧。基于上述设置，可以提高可控硅结构的封装便利性。 |
