可控硅结构
基本信息
| 申请号 | CN202110673779.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113410296A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113410296A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H01L29/74（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨志伟;邵长海;左建伟;孙传帮 | 申请（专利权）人 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都极刻智慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 宋江 |
| 地址 | 132000吉林省吉林市高新区深圳街99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供的可控硅结构，涉及半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括电极结构和半导体结构，电极结构与半导体结构电连接。半导体结构包括至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层。其中，至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层中的至少一层为目标半导体层，目标半导体层包括依次分布的掺杂浓度不同和/或掺杂元素不同的多个子区域。基于上述结构设计，可以改善现有的可控硅结构中存在的动态特性不佳的问题。 |
