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一种半导体激光器及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011501052.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112510486A 公开（公告）日 2021-03-16
申请公布号 CN112510486A 申请公布日 2021-03-16
分类号 H01S5/22(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘朝明;王涛;张鹏 申请（专利权）人 因林光电科技（苏州）有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215002江苏省苏州市苏州高新区科技城五台山路588号2号厂房101
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法，包括：激光器外延结构，激光器外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的多层外延层，多层外延层包括中间外延层以及依次位于中间外延层远离衬底一侧的上光场限制层和上接触层；位于上接触层远离衬底一侧的第一电极层；其中，第一电极层、上接触层和部分上光场限制层形成脊形结构；覆盖剩余上光场限制层以及脊形结构侧壁的第一介质层；位于脊形结构两侧且位于第一介质层远离衬底一侧的第二电极层；位于衬底远离激光器外延结构一侧的第三电极层。本发明有效解决了现有技术中激光器中电流横向扩展的问题，提高了载流子的注入效率，减低阈值电流、提高斜率效率，最终有效提升激光器器件性能和可靠性。